闪迪部分4GB闪存芯片缺货，1X纳米转换产能恐将跟不上

有分销商人士对国际电子商情表示，闪迪19纳米工艺产品今年第三季度就会停产（EOL），15纳米的4GB产品最快也要等到Q3-4才会进行量产。闪迪的4GB颗粒这周牌价4.6美元左右微涨。未来闪迪主推15纳米工艺产品，待产能释放将直接8GB-16GB起跳。

目前，西部数据、闪迪、HGST共同组成了西部数据公司，SSD涨价让西数营收暴增。SSD方面从去年第二季至今涨幅逾八成，本周报价出现下跌，调降各产品线约1美元智能手机方面，eMMC价格也出现微跌。内存IC设计及模块厂认为，NAND Flash涨多回调，预估第二季将面临价格回跌，下半年进入新品出货旺季，可使销售量上扬。

闪迪和东芝联手打造的15nm工艺除了缩小芯片尺寸之外，还改进了外围电路技术，能够获得和第二代19nm工艺相同的写入速度。同时借助新的高速接口，数据传输率相比上一代 19nm 的模块提高了30%，达到533Mbps。闪迪设计东芝制造的15nm NAND 闪存模块在日本三重县四日市的 Fab 5 厂房进行量产，15纳米主要用于替代19纳米工艺生产先进构架的新存储芯片，可以制造全球体积最小且最具成本效益的128Gb芯片，是闪迪未来数年的主流工艺。

在3D-NAND的进展上，64层堆栈的3D-NAND Flash在良率与eMMC／UFS、消费级SSD、企业级SSD等OEM产品的导入上，挑战性皆增加，因此明年3D-NAND在64层堆栈的产品成熟前也将维持供应吃紧的状况，最快要到2017年第三季起才有机会成熟量产出货。

从产品面看，闪迪（西数）64层堆栈3D-NAND Flash已经在自家Retail产品开始出货，OEM产品的认证过程也会在本季开始进行，预计整体3D-NAND Flash的产出比重在2017年底前将超过50%。

从需求端来看，由于智能手机成长放缓、平板电脑出货持续衰退，相关行动式 NAND的需求成长动能将改由平均搭载量（Content per box）来驱动，而在新款iPhone出货主流为128GB下，其他智能手机品牌也加速提升eMMC／UFS的容量来提高产品竞争力。

预估，2017年第四季全球笔电出货的固态硬盘渗透率将超越50%，且企业级SSD的需求也随着服务器／数据中心的需求强劲成长而快速上扬，再加上固态硬盘的平均搭载量也持续增加，使得2017年整体固态硬盘需求成长率将高达60%，所消耗的Flash比重也将正式站上40%大关，为各项NAND Flash终端需求中表现最强劲的应用。