台积电发怒！吊打三星/Intel

上月中旬，韩媒报道三星已经开发出了全球首个基于10nm FinFET工艺的SRAM，迈出了工艺走向成熟的最关键一步。

所谓SRAM即静态随机存取存储器，比我们常见的DRAM(动态随机存取存储器)更快，常用于CPU缓存等，也是研发测试新工艺的必经前提步骤。

三星正意气风发的时候，劲敌台积电昨日前来泼冷水。

据台媒报道，在昨天台积电举办的第十五届供应链管理论坛上，台积电总经理艰联合CEO刘德音表示，他们早已制造出7纳米的SRAM，并确认10纳米将在2016年初试产，7纳米则预期在2017年Q1开试。

这样一来，我们再梳理一下半导体前三大巨头的10nm制程量产的最新动向——

Intel：2017年下半年

三星；2016年底、2017年初

台积电：2016年底、2017年初

报道称，台积电非常高兴，因为终于超过英特尔了。他们还趁热预告，5nm也该提上日程了。

不过分析师称，10nm制程的最大关键是极紫外光（Extreme Ultraviolet，EUV）微影曝光替代了之前的纯硅，该设备主要掌握在荷兰阿斯麦（ASML）手中。

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