渭源籍青年学者刘军林问鼎“国奖”

光明“中国芯”获国家技术发明一等奖 打破日美垄断局面

渭源籍青年学者刘军林问鼎“国奖”

一点定西网讯 （记者王进学 王纲）南昌大学硅衬底高光效GaN基蓝色发光二极管的诞生，使中国成为世界上继日美之后第三个掌握蓝光LED自主知识产权技术的国家。1月8日，在人民大会堂隆重举行的2015年度国家科学技术奖励大会上，江风益团队研发的这一项目荣获国家技术发明一等奖，江风益作为项目第一完成人接受习近平主席颁奖。团队核心成员、项目第二完成人、渭源籍青年学者刘军林博士参加颁奖大会，这是渭源学者首次登上这一“国奖”的最高领奖台。

上世纪70年代，刘军林出生于渭源县锹峪乡裕丰村，1996年毕业于渭源一中，同年以优异的成绩考入东北大学，现为南昌大学研究员，博士研究生导师，国家硅基LED工程技术研究中心常务副主任。作为江西省百千万人才工程人选，刘军林主要从事LED芯片及外延研发工作，现主持国家科技支撑计划“硅基高亮绿光LED研发”、国家自然科学基金重点项目“有源区内电场对GaN基绿光发光二极管内量子效率影响的研究”和江西省科技厅重大专项“与MOCVD装备配套的LED材料生长技术的研发”。

1996年，经过三年时间的技术跟踪，江风益团队拉开了从事GaN蓝光LED研究、自主创造光明“中国芯”的序幕。历经19年的科研攻关，在LED照明技术上取得突破性成果，成功研发出硅衬底高光效GaN基蓝色发光二极管，并在市场应用上取得明显经济效益和社会效益，走出了一条“硅基发光，中国创造”的新路线。

世界上第一支LED诞生于1962年，正式作为照明光源，是日本在1993年取得的突破，这项蓝宝石衬底GaN基蓝光LED技术获得2014年诺贝尔奖。1995年，美国成功研发碳化硅衬底GaN基蓝光LED技术，获得2003年美国总统技术发明奖。“改变了目前日本日亚公司垄断蓝宝石衬底和美国CREE公司垄断碳化硅衬底LED照明芯片技术的局面，形成了蓝宝石、碳化硅、硅衬底半导体照明技术方案三足鼎立的局面。”这是国家863专家组对江风益团队研发的硅基LED项目作出的评价。

2015年度国家科学技术奖共授予295个项目和7名外籍科技专家。这是党中央、国务院连续15年举办同样的盛会。奖项分五大类，其中国家技术发明奖66项，一等奖仅此1项，颁发奖金20万元。渭源籍青年学者刘军林博士获此大奖，极大振奋了渭河儿女乃至陇中人民弘扬三苦精神、优先发展教育、勇攀科技高峰的信心和决心，并将在渭源和定西教育科技发展史上写下浓墨重彩的一笔。